静态老化测试系统 HTGB/HTRB/H3TRB

• 测试目的：

沿用传统测试标准对封装好的芯片进行老化前后参数测试，芯片老化过程参数监测

• 系统特点：

多功能的功率半导体器件环境老化试验设备，针对Si/SiC/GaN 材料的 IGBT/DIODE/MOSFET/HEMT/BJT/SCR 等器件的HTGB/HTRB 试验。

电压最高6500V，测试温度最高260度。

最多支持1280个分立器件同时测试。