解决方案
静态老化测试系统 HTGB/HTRB/H3TRB
测试目的:沿用传统测试标准对封装好的芯片进行老化前后参数测
试,芯片老化过程参数监测,
系统特点:多功能的功率半导体器件环境老化试验设备,针对
Si/SiC/GaN 材料的 IGBT/DIODE/MOSFET/HEMT/BJT/SCR 等器件的
HTGB/HTRB 试验。电压最高6500V,测试温度最高260度。最多支
1280个分立器件同时测试
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